Regulator的原理與設計運用(3)-电脑维修培训_手机维修培训_笔记本维修培训_安卓手机维修培训

(10)Gigabyte LDO Memo

1.凡用在電源轉換的分壓電阻均應使用1%精密電阻，超電壓用的電阻則使用5%電阻。

2.使用OP+MOS的LDO線路，在MOS gate前端(靠近MOSFET)須串電阻100 ohm，並預留對地電容0.01uF(Default不上)。

3.使用431+MOS的LDO線路，在431的C極須上22uF以上電容防止震盪現象。

4.RTL8100BL+2N2907轉出的VDD25須上22uF以上電容防止震盪現象。

※VDD25未上電容而產生的震盪現象

(11)LDO circuit Design note

1.Output端一定要加22uF以上的穩壓電容以防止震盪現象。

2.如果用OP+MOS轉出Standby電源，則需用LMV358+AP9916，且 LMV358須接5VSB。

3.如果用OP+MOS轉出4組非Standby電源，則OP盡量使用TSM104(省掉一顆431的Cost及打件成本)，MOS盡量使用APM3055($2.9)。

4.RT9173(SO8)的Pin5~8盡量鋪大塊銅箔幫助散熱。

5.用Discrete方式作的DDRVTT電源，Sink電流的電晶體必須使用2SC5706/TO252($2.9)。

6.用431+MOS的電源線路，兩個分壓電阻的阻值總和必須大於431 C極的Pull-up阻值。(下圖轉出的電壓並非1.25V，而是1.0V)

7.如果瓦特數超過3W還是要用Linear Regulator，可以考慮用兩極壓降的方式，或是串二極體壓降的方式。

8.For Cost issue，盡量不要使用1.25V的431。

9.431 C極的Pull-up電阻值須使Cathode Current <150mA。

10.MOS Rds(on)的考量。

Appendix (零件價格表)

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